• 已选条件：
  • × Electron confinement
 全选  【符合条件的数据共：1条】

1 Analysis of electron transport in the nano-scaled Si, SOI and III-V MOSFETs: Si/SiO2 interface charges and quantum mechanical effects [会议论文]

作者:Islam, A.^1^2, Kalna, K.^3

关键词:CMOS (complementary metal oxide semiconductor);Conduction-band profile;...

会议举办机构:Electronic Engineering, Bangor College China, Central South University Forestry and Technology, China^1

会议时间:2019

预览  |  原文链接  |  全文  [ 浏览：2 下载：1  ]